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BSM300D12P2E001電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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BSM300D12P2E001電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

BSM300D12P2E001電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

説明
部品番号: BSM300D12P2E001 製造業者: ロームセミコンダクタ
記述: MOSFET 2N-CH 1200V 300A 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

BSM300D12P2E001指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 2 N-Channel (半分橋)
FETの特徴 標準
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 300A
(最高) @ ID、VgsのRds -
Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 68mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs -
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 35000pF @ 10V
パワー最高 1875W
実用温度 -40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け シャーシの台紙
パッケージ/場合 モジュール
製造者装置パッケージ モジュール
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

BSM300D12P2E001包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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