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FDG6332C_F085電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
FDG6332C_F085
製造業者:
Fairchild/ONの半導体
記述:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
部門:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
シリーズ:
、AEC-Q101、PowerTrench®自動車
紹介

FDG6332C_F085指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ NおよびP-Channel
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 20V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 700mA、600mA
(最高) @ ID、VgsのRds 300 mOhm @ 700mA、4.5V
Vgs ((最高) Th) @ ID 1.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 113pF @ 10V
パワー最高 300mW
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
製造者装置パッケージ SC-70-6
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

FDG6332C_F085包装

検出

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ストック:
MOQ:
Negotiable