US6K4TRの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
US6K4TR
製造業者:
ロームセミコンダクタ
記述:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
部門:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
紹介
US6K4TRの指定
| 部分の状態 | 活動的 |
|---|---|
| FETのタイプ | 2 N-Channel （二重） |
| FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 20V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 1.5A |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 180 mOhm @ 1.5A、4.5V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 1V @ 1mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 110pF @ 10V |
| パワー最高 | 1W |
| 実用温度 | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 6-SMDの平らな鉛 |
| 製造者装置パッケージ | TUMT6 |
| 郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
| 条件 | 新しい元の工場。 |
US6K4TRの包装
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ストック:
MOQ:
Negotiable