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FDG6335Nの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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FDG6335Nの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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商品の詳細:
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供給の能力: 100000

FDG6335Nの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

説明
部品番号: FDG6335N 製造業者: Fairchild/ONの半導体
記述: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列 シリーズ: PowerTrench®

FDG6335Nの指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 2 N-Channel (二重)
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 20V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 700mA
(最高) @ ID、VgsのRds 300 mOhm @ 700mA、4.5V
Vgs ((最高) Th) @ ID 1.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 113pF @ 10V
パワー最高 300mW
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
製造者装置パッケージ SC-70-6
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

FDG6335Nの包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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