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FDMB3900ANの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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FDMB3900ANの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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商品の詳細:
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価格: Negotiable
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供給の能力: 100000

FDMB3900ANの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

説明
部品番号: FDMB3900AN 製造業者: Fairchild/ONの半導体
記述: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列 シリーズ: PowerTrench®

FDMB3900ANの指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 2 N-Channel (二重)
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 25V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 7A
(最高) @ ID、VgsのRds 23 mOhm @ 7A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 3V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 890pF @ 13V
パワー最高 800mW
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 8-PowerWDFN
製造者装置パッケージ 8-MLP、MicroFET (3x1.9)
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

FDMB3900ANの包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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