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SI4559ADY-T1-E3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
SI4559ADY-T1-E3
製造業者:
Vishay Siliconix
記述:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
部門:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
シリーズ:
TrenchFET®
紹介

SI4559ADY-T1-E3指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ NおよびP-Channel
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 60V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 5.3A、3.9A
(最高) @ ID、VgsのRds 58 mOhm @ 4.3A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 3V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 665pF @ 15V
パワー最高 3.1W、3.4W
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ 8-SO
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

SI4559ADY-T1-E3包装

検出

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ストック:
MOQ:
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