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ZXMC3AMCTAの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
ZXMC3AMCTA
製造業者:
組み込まれるダイオード
記述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
部門:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
紹介

ZXMC3AMCTAの指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ NおよびP-Channel
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 30V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 2.9A、2.1A
(最高) @ ID、VgsのRds 120 mOhm @ 2.5A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 3V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 3.9nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 190pF @ 25V
パワー最高 1.7W
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 8-WDFNはパッドを露出した
製造者装置パッケージ 8-DFN (3x2)
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

ZXMC3AMCTAの包装

検出

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MOQ:
Negotiable