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単一IXYP20N65C3D1M IGBT力モジュールのトランジスターIGBTs

カテゴリー:
IGBTパワーモジュール
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
IXYP20N65C3D1M
製造業者:
IXYS
記述:
IGBT 650V 18A 50W TO220
部門:
単一トランジスター- IGBTs -
家族:
単一トランジスター- IGBTs -
シリーズ:
GenX3™、XPT™
紹介

IXYP20N65C3D1Mの指定

部分の状態 活動的
IGBTのタイプ PT
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 650V
現在-コレクター((最高) IC) 18A
現在-脈打つコレクター(Icm) 105A
Vce () (最高) @ Vge、IC 2.5V @ 15V、20A
パワー最高 50W
転換エネルギー 430µJ ()、350µJ ()
入れられたタイプ 標準
ゲート充満 30nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 19ns/80ns
テスト条件 400V、20A、20オーム、15V
逆の回復時間(trr) 30ns
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
パッケージ/場合 TO-220-3
製造者装置パッケージ TO-220AB
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

IXYP20N65C3D1Mの包装

検出

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MOQ:
Negotiable