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単一STD7NM80-1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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単一STD7NM80-1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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価格: Negotiable
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供給の能力: 100000

単一STD7NM80-1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

説明
部品番号: STD7NM80-1 製造業者: STMicroelectronics
記述: MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK 部門: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - シリーズ: MDmesh™

STD7NM80-1指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 800V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 6.5A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 620pF @ 25V
Vgs (最高) ±30V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 90W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 1.05オーム@ 3.25A、10V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ 私朴
パッケージ/場合 TO-251-3不足分の鉛、IPak、TO-251AA
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

STD7NM80-1包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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