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単一STB12NM50T4電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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単一STB12NM50T4電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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商品の詳細:
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価格: Negotiable
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供給の能力: 100000

単一STB12NM50T4電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

説明
部品番号: STB12NM50T4 製造業者: STMicroelectronics
記述: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK 部門: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - シリーズ: MDmesh™

STB12NM50T4指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 550V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 12A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) -
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 50µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 39nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 1000pF @ 25V
Vgs (最高) -
FETの特徴 -
電力損失(最高) 160W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 350 mOhm @ 6A、10V
実用温度 -65°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ D2PAK
パッケージ/場合 TO-263-3のDの²朴(2つの鉛+タブ)、TO-263AB
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

STB12NM50T4包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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