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単一TPH3212PSの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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単一TPH3212PSの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

単一TPH3212PSの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

説明
部品番号: TPH3212PS 製造業者: Transphorm
記述: CASCODE GAN FET 650V 28A TO220 部門: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -

TPH3212PSの指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 GaNFET (ガリウム窒化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 650V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 28A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) -
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.6V @ 400uA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 14nC @ 8V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 1130pF @ 400V
Vgs (最高) -
FETの特徴 -
電力損失(最高) 104W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 72 mOhm @ 17A、8V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ TO-220
パッケージ/場合 TO-220-3
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

TPH3212PSの包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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