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単一SIHS36N50D-E3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
交渉可能
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
SIHS36N50D-E3
製造業者:
Vishay Siliconix
記述:
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
紹介

SIHS36N50D-E3指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 500V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 36A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) -
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 125nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 3233pF @ 100V
Vgs (最高) -
FETの特徴 -
電力損失(最高) 446W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 130 mOhm @ 18A、10V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ SUPER-247 (TO-274AA)
パッケージ/場合 TO-247-3
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

SIHS36N50D-E3包装

検出

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ストック:
MOQ:
Negotiable