BLF8G10LS-300PJの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
記述:
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
部品番号:
BLF8G10LS-300PJ
製造業者:
Ampleon USA Inc。
部門:
トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族:
トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
紹介
BLF8G10LS-300PJの指定
| 部分の状態 | 活動的 |
|---|---|
| トランジスター タイプ | LDMOS （二重）、共通のソース |
| 頻度 | 760.5MHz | 800.5MHz |
| 利益 | 20.5dB |
| 電圧-テスト | 28V |
| 現在の評価 | - |
| 雑音指数 | - |
| 現在-テスト | 2A |
| パワー出力 | 65W |
| 評価される電圧- | 65V |
| パッケージ/場合 | SOT539B |
| 製造者装置パッケージ | SOT539B |
| 郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
| 条件 | 新しい元の工場。 |
BLF8G10LS-300PJの包装
検出
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable