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3SK291 (TE85L、F)電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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3SK291 (TE85L、F)電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

3SK291 (TE85L、F)電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

説明
部品番号: 3SK291 (TE85LのF) 製造業者: 東芝の半導体および貯蔵
記述: MOSFET N-CH SMQ 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF

3SK291 (TE85L、F)指定

部分の状態 活動的
トランジスター タイプ N-Channelの二重ゲート
頻度 800MHz
利益 22.5dB
電圧-テスト 6V
現在の評価 30mA
雑音指数 2.5dB
現在-テスト 10mA
パワー出力 -
評価される電圧- 12.5V
パッケージ/場合 SC-61AA
製造者装置パッケージ SMQ
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

3SK291 (TE85L、F)包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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