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ゲートの運転者のアナログのアイソレーターICの半導体SMDの破片IR21814SPBF IGBT MOSFET

カテゴリー:
アナログのアイソレーターIC
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
IR21814SPBF
製造者のパッケージ:
SOIC-14
簡潔な説明:
半導体
製品カテゴリ:
集積回路
アプリケーション領域:
ゲートドライバー
製造日:
1年以内に
紹介
製品範囲
 
  • アナログのアイソレーターIC力管理IC集積回路IR2103PBF PDIP-8
  • IR2103は高圧の、高速力MOSFETであり、依存した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
Appの特徴
  •  免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある+600Vに完全に機能したブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
  •  10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
  •  両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
  •  互換性がある3.3Vおよび5V入力論理
  •  両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
  •  論理および力の地面+/- 5Vオフセット。
  •  よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
  •  出力源/流しの現在の機能1.4A/1.8A
  •  また利用できる無鉛(PbF)
  1. 記述
  • IR 2181(4) (S)は独立した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。プロか。prietary HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすためにruggeを可能にし、か。dized単一構造。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の十字のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にするか。伝導。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
基本データ
製品特質 属性値
Infineon
製品カテゴリ: ゲートの運転者
RoHS: 細部
IGBTのMOSFETのゲートの運転者
高側の低側
SMD/SMT
SOIC-14
2運転者
2出力
1.8 A
10ボルト
20ボルト
60 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
ブランド: インフィニオン・テクノロジーズ
特徴: 独立した
高さ: 1.5 mm
長さ: 8.74 mm
論理のタイプ: CMOS、TTL
最高のTurn-Off遅れ時間: 220 ns
最高のTurn-On遅れ時間: 180 ns
敏感な湿気: はい
作動の供給電圧: 10ボルトから20ボルト
Pd -電力損失: 1000 MW
製品タイプ: ゲートの運転者
最高伝搬遅延-: 330 ns
1980年
下位範疇: PMIC -力管理IC
技術: Si
幅: 3.99 mm
部分#別名: IR21814SPBF SP001536712
単位重量: 0.057144 oz
ダウンロードのデータ用紙
適用
 
  • RGBまたはRGBA LEDの運転者
  • LEDのステータス情報
  • LED表示
  • LCDのバックライト
  • 携帯電話または手持ち型装置のためのキーパッドのバックライト
  • BLDCモーター
  • 三相永久マグネット同期電動機
  • インバーター
  • 半分橋運転者
  • ロボティック制御システム
  • 電気器具
  •  格子下部組織
  •  EPOS•家のtheate
  •  分散パワー系統
  •  コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
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破片の図表

ゲートの運転者のアナログのアイソレーターICの半導体SMDの破片IR21814SPBF IGBT MOSFETゲートの運転者のアナログのアイソレーターICの半導体SMDの破片IR21814SPBF IGBT MOSFET

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