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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (113 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156

descrizione

Numero del pezzo:	IRF6156	Produttore:	Infineon Technologies
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche IRF6156

Stato della parte	Cessato alla Digi-chiave
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	6.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	40 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	18nC @ 5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	950pF @ 15V
Massimo elettrico	2.5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-FlipFet™
Pacchetto del dispositivo del fornitore	6-FlipFet™
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare IRF6156

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6156 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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