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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSO4804T

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BSO4804T
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
OptiMOS™
Introduzione

Specifiche di BSO4804T

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 8A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2V @ 30µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 17nC @ 5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 870pF @ 25V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BSO4804T

Rilevazione

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