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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (127 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA

descrizione

Numero del pezzo:	ZXMN3AMCTA	Produttore:	Diodi incorporati
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di ZXMN3AMCTA

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	2.9A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	3.9nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	190pF @ 25V
Massimo elettrico	1.7W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-WDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-DFN (3x2)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di ZXMN3AMCTA

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN3AMCTA 0

Prodotto Tag:

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