Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di UM6K31NTN
Specificità
Numero del pezzo:
UM6K31NTN
Produttore:
Semiconduttore di Rohm
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione
Specifiche di UM6K31NTN
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | 2 N-Manica (doppi) |
Caratteristica del FET | Portone del livello logico, azionamento 2.5V |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 250mA |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 2,4 ohm @ 250mA, 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 2.3V @ 1mA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | - |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 15pF @ 25V |
Massimo elettrico | 150mW |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto/caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | UMT6 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di UM6K31NTN
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable