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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMS3620S

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMS3620S
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMS3620S
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMS3620S
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (178 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMS3620S

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMS3620S

descrizione

Numero del pezzo:	FDMS3620S	Produttore:	Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	PowerTrench®

Specifiche di FDMS3620S

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi) asimmetrici
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	25V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	17.5A, 38A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	4,7 mOhm @ 17.5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	1570pF @ 13V
Massimo elettrico	1W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-PowerTDFN
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-PQFN (5x6), Power56
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDMS3620S

Rilevazione

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Prodotto Tag:

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