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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CSD87353Q5D

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CSD87353Q5D

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CSD87353Q5D
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CSD87353Q5D

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CSD87353Q5D

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CSD87353Q5D

descrizione
Numero del pezzo: CSD87353Q5D Produttore: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: NexFET™

Specifiche di CSD87353Q5D

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (mezzo ponte)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 40A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 3,4 ohm @ 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 3190pF @ 15V
Massimo elettrico 12W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-PowerLDFN
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-LSON (5x6)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CSD87353Q5D

Rilevazione

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