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DMN601DWK-7 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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DMN601DWK-7 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Grande immagine :  DMN601DWK-7 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

DMN601DWK-7 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: DMN601DWK-7 Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

DMN601DWK-7 Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Power - Max 200mW
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

DMN601DWK-7 Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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