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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6316P

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6316P

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6316P
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6316P

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6316P

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDG6316P

descrizione
Numero del pezzo: FDG6316P Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDG6316P

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 12V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 700mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 146pF @ 6V
Massimo elettrico 300mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore SC-70-6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDG6316P

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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