Invia messaggio
Richiedere un preventivo |
Casa ProdottiTransistor ad effetto di campo

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN

Tutti i prodotti

Circuiti integrati ics

(7037)

Chip IC di memoria

(2998)

Isolatore analogico IC

(2527)

Microcontroller ed unità di elaborazione incastonate

(5000)

Transistor ad effetto di campo

(1839)

Modulo di alimentazione IGBT

(1002)

Triodo del diodo

(303)

Condensatore per tutti gli usi

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Induttore di potere di SMD

(100)

Componente del relè

(203)

Fusibili di protezione di circuito

(195)
Sono ora online in chat

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN

descrizione
Numero del pezzo: FDMB3900AN Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDMB3900AN

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 25V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 23 mOhm @ 7A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 890pF @ 13V
Massimo elettrico 800mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-PowerWDFN
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDMB3900AN

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDMB3900AN 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

Circuiti integrati ics

Circuito monolitico 48TQFP CY7C65632-48AXC del ICS USB dei circuiti integrati a semiconduttore di Cypress

Chip del calibro di combustibile del TI BQ20Z65DBTR-R1 del ICS dei circuiti integrati della gestione della batteria

Driver IR IR2110STRPBF dei regolatori dell'accensione dei circuiti integrati CI SMT/di SMD

Microcontroller STM32F405RGT6 e FLASH incluso della st 1024 delle unità di elaborazione MCU

STM32F407VET6 circuiti integrati CI

MCU ha incastonato le unità di elaborazione & i regolatori STM32F103RCT6

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | Porcellana buon qualità Circuiti integrati ics fornitore. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.