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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2035UTS-13

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2035UTS-13

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2035UTS-13
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2035UTS-13

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2035UTS-13

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2035UTS-13

descrizione
Numero del pezzo: DMP2035UTS-13 Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMP2035UTS-13

Stato della parte Attivo
Tipo del FET Scolo comune (doppio) di P-Manica 2
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6.04A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 35 mOhm @ 4A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1610pF @ 10V
Massimo elettrico 890mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-TSSOP (0,173", larghezza di 4.40mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-TSSOP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMP2035UTS-13

Rilevazione

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