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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTHC5513T1G

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTHC5513T1G

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTHC5513T1G
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTHC5513T1G

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTHC5513T1G

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTHC5513T1G

descrizione
Numero del pezzo: NTHC5513T1G Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 1206A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di NTHC5513T1G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 2.9A, 2.2A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 180pF @ 10V
Massimo elettrico 1.1W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SMD, cavo piano
Pacchetto del dispositivo del fornitore ChipFET™
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTHC5513T1G

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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