Invia messaggio
Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON7611

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON7611

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
AON7611
Produttore:
Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione

Specifiche AON7611

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica, scolo comune
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 9A, 18.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 50 mOhm @ 4A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 170pF @ 15V
Massimo elettrico 1.5W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-PowerSMD, cavi piani
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-DFN (3x3)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare AON7611

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON7611Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON7611Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON7611Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AON7611

Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable