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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC3025LSD-13

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC3025LSD-13

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC3025LSD-13
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC3025LSD-13

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC3025LSD-13

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC3025LSD-13

descrizione
Numero del pezzo: DMC3025LSD-13 Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMC3025LSD-13

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6.5A, 4.2A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 20 mOhm @ 7.4A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 9.8nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 501pF @ 15V
Massimo elettrico 1.2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMC3025LSD-13

Rilevazione

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