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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di SI4532DY

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di SI4532DY

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di SI4532DY

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di SI4532DY

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di SI4532DY

descrizione
Numero del pezzo: SI4532DY Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di SI4532DY

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 3.9A, 3.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 65 mOhm @ 3.9A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 235pF @ 10V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di SI4532DY

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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