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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4606L

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4606L

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4606L
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4606L

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4606L

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO4606L

descrizione
Numero del pezzo: AO4606L Produttore: Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di AO4606L

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N e P-Manica complementari
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 310pF @ 15V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SOIC
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AO4606L

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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