Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BUK9K17-60EX
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BUK9K17-60EX
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione
Specifiche di BUK9K17-60EX
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | 2 N-Manica (doppi) |
| Caratteristica del FET | Portone del livello logico |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 26A |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | mOhm 15,6 @ 10A, 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 2.1V @ 1mA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 16.5nC @ 5V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 2223pF @ 25V |
| Massimo elettrico | 53W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | LFPAK56D |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di BUK9K17-60EX
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable