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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ

descrizione
Numero del pezzo: FDS89161LZ Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

Specifiche di FDS89161LZ

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 100V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 2.7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 105 mOhm @ 2.7A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 5.3nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 302pF @ 50V
Massimo elettrico 1.6W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDS89161LZ

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS89161LZ 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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