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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9358TRPBF

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9358TRPBF

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9358TRPBF
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9358TRPBF

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9358TRPBF

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF9358TRPBF

descrizione
Numero del pezzo: IRF9358TRPBF Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche di IRF9358TRPBF

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 9.2A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs mOhm 16,3 @ 9.2A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.4V @ 25µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1740pF @ 25V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF9358TRPBF

Rilevazione

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