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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (181 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC

descrizione

Numero del pezzo:	ZXMC10A816N8TC	Produttore:	Diodi incorporati
Descrizione:	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di ZXMC10A816N8TC

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	N e P-Manica
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	100V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	2A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	230 mOhm @ 1A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	2.4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	497pF @ 50V
Massimo elettrico	1.8W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-SOP
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di ZXMC10A816N8TC

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMC10A816N8TC 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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