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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F

descrizione
Numero del pezzo: BSS138DW-7-F Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di BSS138DW-7-F

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 50V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 200mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 3,5 ohm @ 220mA, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 50pF @ 10V
Massimo elettrico 200mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-363
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BSS138DW-7-F

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F 0Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F 1Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F 2Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BSS138DW-7-F 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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