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NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine :  NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: NTZD3155CT1G Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

NTZD3155CT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V
Power - Max 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package SOT-563
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTZD3155CT1G Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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