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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD4152PT1G

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD4152PT1G

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD4152PT1G
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD4152PT1G

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD4152PT1G

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD4152PT1G

descrizione
Numero del pezzo: NTJD4152PT1G Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di NTJD4152PT1G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 880mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 155pF @ 20V
Massimo elettrico 272mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTJD4152PT1G

Rilevazione

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