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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (192 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7

descrizione

Numero del pezzo:	DMN5L06VK-7	Produttore:	Diodi incorporati
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMN5L06VK-7

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	50V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	280mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	2 ohm @ 50mA @ 5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	-
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	50pF @ 25V
Massimo elettrico	250mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto del dispositivo del fornitore	SOT-563
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMN5L06VK-7 0

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