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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STS4DNF60L

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STS4DNF60L

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STS4DNF60L
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STS4DNF60L

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STS4DNF60L

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STS4DNF60L

descrizione
Numero del pezzo: STS4DNF60L Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: STripFET™

Specifiche di STS4DNF60L

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 4A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1030pF @ 25V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STS4DNF60L

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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