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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (163 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G

descrizione

Numero del pezzo:	NTJD5121NT1G	Produttore:	Sul semiconduttore
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di NTJD5121NT1G

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	295mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	1,6 ohm @ 500mA, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	2.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	0.9nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	26pF @ 20V
Massimo elettrico	250mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTJD5121NT1G

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTJD5121NT1G 0

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