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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (149 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR

descrizione

Numero del pezzo:	QS6M3TR	Produttore:	Semiconduttore di Rohm
Descrizione:	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di QS6M3TR

Stato della parte	Non per le nuove progettazioni
Tipo del FET	N e P-Manica
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V, 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	1.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1.5V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	80pF @ 10V
Massimo elettrico	1.25W
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	SOT-23-6 sottile, TSOT-23-6
Pacchetto del dispositivo del fornitore	TSMT6 (SC-95)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di QS6M3TR

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS6M3TR 0

Prodotto Tag:

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