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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (168 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7

descrizione

Numero del pezzo:	DMG6968UDM-7	Produttore:	Diodi incorporati
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMG6968UDM-7

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	Scolo comune (doppio) di N-Manica 2
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	6.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	24 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	900mV @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	143pF @ 10V
Massimo elettrico	850mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	SOT-23-6
Pacchetto del dispositivo del fornitore	SOT-26
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMG6968UDM-7 0

Prodotto Tag:

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