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FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine :  FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: FDC6305N Produttore: Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: PowerTrench®

FDC6305N Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Power - Max 700mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

FDC6305N Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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