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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTLJD3119CTBG

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTLJD3119CTBG

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTLJD3119CTBG
Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTLJD3119CTBG

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTLJD3119CTBG

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTLJD3119CTBG

descrizione
Numero del pezzo: NTLJD3119CTBG Produttore: Sul semiconduttore
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: µCool™

Specifiche di NTLJD3119CTBG

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 2.6A, 2.3A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 271pF @ 10V
Massimo elettrico 710mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 6-WDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-WDFN (2x2)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTLJD3119CTBG

Rilevazione

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