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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS6898A

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Numero del pezzo:
FDS6898A
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
PowerTrench®
Introduzione

Specifiche di FDS6898A

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 9.4A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1821pF @ 10V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDS6898A

Rilevazione

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