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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (195 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559

descrizione

Numero del pezzo:	FDS4559	Produttore:	Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	PowerTrench®

Specifiche FDS4559

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	N e P-Manica
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	4.5A, 3.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	650pF @ 25V
Massimo elettrico	1W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-SOIC
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare FDS4559

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS4559 0

Prodotto Tag:

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