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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS8958A_F085

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
FDS8958A_F085
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, PowerTrench®
Introduzione

Specifiche FDS8958A_F085

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7A, 5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 28 mOhm @ 7A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 575pF @ 15V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare FDS8958A_F085

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS8958A_F085Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS8958A_F085Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS8958A_F085Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo FDS8958A_F085

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