Transistor IGBTs del modulo di potere di RJH60D7BDPQ-E0#T2 IGBT singolo
Specificità
Descrizione:
IGBT 600V 90A 300W TO-247
Numero del pezzo:
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Produttore:
Elettronica America di Renesas
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche RJH60D7BDPQ-E0#T2
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | Fossa |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 90A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | - |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.2V @ 15V, 50A |
Massimo elettrico | 300W |
Energia di commutazione | 700µJ (sopra), 1.4mJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 125nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 60ns/180ns |
Condizione di prova | 300V, 50A, 5 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable