Transistor IGBTs del modulo di potere di APT30GS60BRDQ2G IGBT singolo
Specificità
Descrizione:
IGBT 600V 54A 250W SOT227
Numero del pezzo:
APT30GS60BRDQ2G
Produttore:
Microsemi Corporation
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Serie:
Colpo di fulmine IGBT®
Introduzione
Specifiche di APT30GS60BRDQ2G
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | NPT |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 54A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 113A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 3.15V @ 15V, 30A |
Massimo elettrico | 250W |
Energia di commutazione | 570µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 145nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 16ns/360ns |
Condizione di prova | 400V, 30A, 9,1 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247 [B] |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di APT30GS60BRDQ2G
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable