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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXST15N120BD1 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IXST15N120BD1 IGBT singolo

IXST15N120BD1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
IXST15N120BD1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IXST15N120BD1 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IXST15N120BD1 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IXST15N120BD1 Produttore: IXYS
Descrizione: IGBT 1200V 30A 150W TO268 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche IXST15N120BD1

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT Pinta
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 30A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 60A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 3.4V @ 15V, 15A
Massimo elettrico 150W
Energia di commutazione 1.5mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 57nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 30ns/148ns
Condizione di prova 960V, 15A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-268-3, ³ Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-268AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-268
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IXST15N120BD1

Rilevazione

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